Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRLML5103GPBF

IRLML5103GPBF

更新时间： 2024-11-18 12:20:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
HEXFET POWER MOSFET

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IRLML5103GPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, MICRO-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.15	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.76 A	最大漏极电流 (ID)：	0.76 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLML5103GPBF 数据手册

PD - 96165

IRLML5103GPbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Generation V Technology

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l SOT-23 Footprint

V_DSS= -30V

l Low Profile (<1.1mm)

l Available in Tape and Reel

l Fast Switching

R_DS(on)= 0.60Ω

l Lead-Free

l Halogen-Free

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

known for, provides the designer with an extremely efficient

and reliable device for use in a wide variety of applications.

Micro3™

A customized leadframe has been incorporated into the

standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power

MOSFET with the industry's smallest footprint. This

package, dubbed the Micro3, is ideal for applications

whereprintedcircuitboardspaceisatapremium. Thelow

profile (<1.1mm) of the Micro3 allows it to fit easily into

extremely thin application environments such as portable

electronics and PCMCIA cards.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-0.76

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-0.61

-4.8

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

540

mW/°C

Linear Derating Factor

4.3

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

-5.0

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

230

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

07/23/08

12 3 4 5 6 7 8

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与IRLML5103GPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLML5103GTRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRLML5103PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET-R POWER MOSFET
IRLML5103PBF_11	INFINEON	获取价格	Lead-Free, Fast Switching, Available in Tape and Reel
IRLML5103PBF-1	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML5103PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML5103TR	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRLML5103TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLML5103TRPBF	INFINEON	获取价格	generation v technology
IRLML5103TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
IRLML5203	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-30V)

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