5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRLM110ATF_NL
IRLM110ATF_NL PDF预览

IRLM110ATF_NL

更新时间： 2024-10-01 21:16:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 224K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE PACKAGE-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLM110ATF_NL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLM110ATF_NL 数据手册

 浏览型号IRLM110ATF_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLM110ATF_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLM110ATF_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLM110ATF_NL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLM110ATF_NL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLM110ATF_NL的Datasheet PDF文件第7页 
IRLM110A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
RDS(on) = 0.44 Ω  
ID = 1.5 A  
ν
ν
ν
ν
ν
ν
ν
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 100V  
Lower RDS(ON) : 0.336 Ω (Typ.)  
SOT-223  
2
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
100  
1.5  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=70oC)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
1.18  
12  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
60  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
mJ  
A
1.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25oC) *  
Linear Derating Factor *  
0.22  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
2.2  
PD  
TJ, TSTG  
TL  
0.018  
W/oC  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
oC  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
oC/W  
RθJA  
Junction-to-Ambient *  
56.8  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. A  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRLM110ATF_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLM120A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRLM120AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120AL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120ATF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120ATF ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ
IRLM120ATF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120ATF-Q FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRLM210 FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRLM210A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET

与IRLM110ATF_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证