是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-223 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.81 | 雪崩能效等级(Eas): | 29 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 1.13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 250 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 9 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLM220ATF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRLM220ATF | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,A-FET,200 V,1.13 A,800 mΩ,SOT- | |
IRLM6402GPBF | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET | |
IRLML0030 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil | |
IRLML0030 | HOTTECH |
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SOT-23 | |
IRLML0030PBF | INFINEON |
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ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY | |
IRLML0030PBF_15 | INFINEON |
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ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY | |
IRLML0030PBF-1 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SOT-23 Package | |
IRLML0030PBF-1_15 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SOT-23 Package | |
IRLML0030TR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |