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IRLML0030

更新时间： 2024-06-27 12:12:23
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SOT-23

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IRLML0030 数据手册

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IRLML0030  
MOSFET (N-CHANNEL)  
FEATURES  
VDS=30V, ID=5.3A, RDS(ON)<27mΩ@VGS=10V  
Fast switching  
Ultra Low On-Resistance  
Surface Mount device  
SOT-23  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
Value  
30  
Unit  
V
Gate-source voltage  
VGS  
±20  
V
TA=25°C  
5.3  
Continuous drain current  
ID  
A
A
TA=70°C  
4.3  
Pulsed drain current (Note 1)  
IDM  
PD  
21  
TA=25°C  
1.3  
Power dissipation  
W
TA=70°C  
Linear Derating Factor  
0.8  
0.01  
100  
W/°C  
°C/W  
°C  
Thermal resistance from Junction to ambient  
Storage and Junction temperature  
RθJA*  
TJ,TSTG  
-55 ~+150  
*Surface mounted on 1 in square Cu board  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min Typ Max Unit  
Conditions  
V(BR)DSS  
Drain-Source breakdown voltage  
30  
1.3  
9.5  
V
VGS=0V, ID=250μA  
1
150  
±100  
2.3  
40  
VDS=24V,  
VDS=24V,  
V
GS
=0V  
V
GS
=0V,  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
μA  
Tj=125°C  
Gate-body leakage current  
Gate-threshold voltage (note 1)  
IGSS  
V
GS(th)  
nA VDS=0V,  
V
GS
=±20V  
V
1.7  
33  
VDS=VGS
,
ID=250μA  
mΩ VGS=4.5V, ID=4.2A  
mΩ VGS=10V, ID=5.2A  
Ω
Drain-source on-resistance(note 1)  
RDS(ON)  
22  
27  
Internal Gate Resistance  
Forward transconductance(note 1)  
Input capacitance  
RG  
gFS  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
2.3  
S
VDS=10V, ID=5.2A  
382  
84  
39  
5.2  
4.4  
7.4  
4.4  
2.6  
0.8  
1.1  
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
A
VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
VDD=15V,ID=1A,  
RG=6.8Ω,VGS=4.5V  
Turn-on rise time  
Turn-off delay time  
t
d(off)  
Turn-off fall time  
tf  
Qg  
Total gate charge  
Qgs  
Qgd  
IS  
ISM  
VSD  
trr  
VDS=15V,VGS=4.5V,ID=5.2A  
Gate-source charge  
Gate-drain charge  
Diode forward current(Body Diode)  
Pulsed Source Current(Body Diode)  
Diode forward voltage (note 1)  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
1.6  
21  
A
1.2  
17  
6.0  
V
nS  
nC  
IS=1.6A, VGS=0V,Tj=25°C  
TJ=25°C,VR=15V,IF=1.6A,  
di/dt=100A/μs  
11  
4.0  
Qrr  
Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤400µs, Duty cycle ≤ 2% .  
1 / 6  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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