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IRLM120AL99Z

更新时间： 2024-02-03 23:55:17
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 229K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRLM120AL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.37雪崩能效等级（Eas）：105 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLM120AL99Z 数据手册

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IRLM120A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
RDS(on) = 0.22 Ω  
ID = 2.3 A  
n Avalanche Rugged Technology  
n Rugged Gate Oxide Technology  
n Lower Input Capacitance  
n Improved Gate Charge  
n Extended Safe Operating Area  
n Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 100V  
n Lower RDS(ON) : 0.176 Ω (Typ.)  
SOT-223  
2
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
100  
2.3  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=70oC)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
1.85  
18  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
105  
2.3  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25oC) *  
Linear Derating Factor *  
0.27  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
2.7  
PD  
TJ, TSTG  
TL  
0.022  
W/oC  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
oC  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
oC/W  
RθJA  
Junction-to-Ambient *  
46.3  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
1
1234567

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与IRLM120AL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLM120AS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120ATF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM120ATF ONSEMI

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 		N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ
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 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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