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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 27 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.77 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.77 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.1 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQT4N20LTF | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，0.85 A，1.4 Ω， |
|
| STN4NF20L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 200 V, 1.1 Ω, 1 A SOT-223 low gate |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLM220A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLM220ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLM220ATF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，A-FET，200 V，1.13 A，800 mΩ，SOT- |
|
| IRLM6402GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRLML0030 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
|
| IRLML0030 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| IRLML0030PBF | INFINEON |
获取价格 |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY |
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| IRLML0030PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY |
|
| IRLML0030PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SOT-23 Package |
|
| IRLML0030PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SOT-23 Package |
|
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