IRLM210A

更新时间： 2024-01-14 09:16:09

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Advanced Power MOSFET

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IRLM210A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	27 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.77 A	最大漏极电流 (ID)：	0.77 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.1 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLM210A 数据手册

IRLM210A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 200 V

R_DS(on)= 1.5 Ω

I_D= 0.77 A

n Avalanche Rugged Technology

n Rugged Gate Oxide Technology

n Lower Input Capacitance

n Improved Gate Charge

n Extended Safe Operating Area

n Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ V_DS= 200V

n Lower R_DS(ON): 1.185 Ω (Typ.)

SOT-223

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

200

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_A=25^oC)

Continuous Drain Current (T_A=70^oC)

Drain Current-Pulsed

0.77

0.62

6.1

I_D

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

①

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

②

①

③

0.77

0.18

5.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_A=25 C)

1.8

P_D

W/^oC

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.014

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8＂ from case for 5-seconds

^oC

T_L

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

Units

^oC/W

R_θJA

69.4

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. A

12 3 4 5 6 7

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IRLM210A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQT4N20LTF	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，0.85 A，1.4 Ω，
IRLM210ATF	FAIRCHILD	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRLM210A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLM210ATF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM220A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRLM220ATF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLM220ATF	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，A-FET，200 V，1.13 A，800 mΩ，SOT-
IRLM6402GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRLML0030	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRLML0030	HOTTECH	获取价格	SOT-23
IRLML0030PBF	INFINEON	获取价格	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRLML0030PBF_15	INFINEON	获取价格	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRLML0030PBF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SOT-23 Package

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