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IRLL3303TRPBF

更新时间： 2024-10-01 13:08:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
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IRLL3303TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, TO-261AA, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.45其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：4.6 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLL3303TRPBF 数据手册

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PD- 91379C  
IRLL3303  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
D
l Dynamic dv/dt Rating  
l Logic-Level Gate Drive  
l Fast Switching  
VDSS = 30V  
RDS(on) = 0.031Ω  
l Ease of Paralleling  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
Description  
G
ID = 4.6A  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
SO T -223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
6.5  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
4.6  
A
3.7  
37  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 16  
140  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
4.6  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
0.10  
1.3  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Typ.  
93  
Max.  
120  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
48  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
1/22/99  
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IRLL3303TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLL3303TR INFINEON

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