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IRLL2703TRPBF

更新时间： 2024-10-01 18:53:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, LEAD FREE, TO-261AA, 4 PIN

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IRLL2703TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, TO-261AA, 4 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：6.29其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.9 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLL2703TRPBF 数据手册

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PD - 95337  
IRLL2703PBF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
D
VDSS = 30V  
R
DS(on) = 0.045Ω  
G
ID = 3.9A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
5.5  
3.9  
3.1  
16  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
A
ID @ TA = 70°C  
IDM  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
1.0  
8.3  
± 16  
180  
3.9  
W
W
mW/°C  
V
VGS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
0.1  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
5.0  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
Typ.  
90  
Max.  
120  
60  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
50  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
05/28/04  
12345678

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