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IRLL2703

更新时间： 2024-09-30 22:23:47
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HEXFET?? Power MOSFET

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PD - 91894  
IRLL2703  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
D
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
VDSS = 30V  
RDS(on) = 0.045Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 3.9A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
S O T -223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
5.5  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
3.9  
A
ID @ TA = 70°C  
3.1  
IDM  
16  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 16  
180  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
3.9  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
0.1  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
5.0  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
Typ.  
90  
Max.  
120  
60  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
50  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
6/15/99  
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IRLL2703TRPBF INFINEON

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 Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IRLL2703TRPBF INFINEON

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IRLL2705 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRLL2705PBF INFINEON

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 		HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRLL2705TR INFINEON

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 		Surface Mount
IRLL2705TRPBF INFINEON

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 		DYNAMIC DV/DT RATING
IRLL3303 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRLL3303PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRLL3303TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLL3303TRPBF INFINEON

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