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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLL2705PBF
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IRLL2705PBF

更新时间： 2024-10-01 03:36:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
9页 220K
描述
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04ヘ , ID = 3.8A )

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IRLL2705PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SOT-223, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：7.02Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：324629
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223 (TO-261AA)
Samacsys Released Date：2017-02-21 12:02:20Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.2 A
最大漏极电流 (ID)：5.2 A最大漏源导通电阻：0.051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLL2705PBF 数据手册

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PD- 95338  
IRLL2705PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Logic-Level Gate Drive  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
l Ease of Paralleling  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0.04Ω  
G
ID = 3.8A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase, infrared, orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application  
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
5.2  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
3.8  
A
3.0  
30  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 16  
110  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
3.8  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
0.10  
7.5  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Typ.  
93  
Max.  
120  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
48  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
05/28/04  
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IRLL2705PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		HEXFET Power MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLL3303TRPBF INFINEON

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 		暂无描述
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