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IRHMS63164

更新时间： 2024-11-05 11:10:07
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 174K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)

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IRHMS63164 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：353 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：R-XSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHMS63164 数据手册

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PD-96958  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)  
IRHMS67164  
150V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHMS67164 100K Rads (Si) 0.019Ω 45A*  
IRHMS63164 300K Rads (Si) 0.019Ω 45A*  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2).  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Their combination of very low R  
and faster  
DS(on)  
switching times reduces power loss and increases  
power density in today’s high speed switching  
applications such as DC-DC converters and motor  
controllers. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, ease of paralleling and temperature stability  
of electrical parameters.  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45*  
44  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
208  
W
W/°C  
V
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
353  
mJ  
A
AS  
I
45  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
8.2  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/22/05  
12345678

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