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IRHMS67260

更新时间： 2024-09-15 04:22:07
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 146K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)

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IRHMS67260 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：344 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：208 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：115 ns
最大开启时间（吨）：165 nsBase Number Matches：1

IRHMS67260 数据手册

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PD - 94667A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)  
IRHMS67260  
200V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHMS67260 100K Rads (Si) 0.029Ω 45A*  
IRHMS63260 300K Rads (Si) 0.029Ω 45A*  
IRHMS64260 600K Rads (Si) 0.029Ω 45A*  
IRHMS68260 1000K Rads (Si) 0.029Ω 45A*  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2).  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Their combination of very low R  
and faster  
DS(on)  
switching times reduces power loss and increases  
power density in today’s high speed switching appli-  
cations such as DC-DC converters and motor con-  
trollers. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as volt-  
age control, ease of paralleling and temperature sta-  
bility of electrical parameters.  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45*  
35  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
208  
W
W/°C  
V
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
344  
mJ  
A
AS  
I
45  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
20.8  
5.4  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/07/03  
12345678

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与IRHMS67260相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHMS67260SCS INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS67260SCV INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS67264 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
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