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IRHMS53160PBF PDF预览

IRHMS53160PBF

更新时间： 2024-11-06 06:24:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 167K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

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IRHMS53160PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：493 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-CSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHMS53160PBF 数据手册

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ꢁ
PD-95889D  
IRHMS57160  
JANSR2N7471T1  
100V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
REF: MIL5-PRF-19500/698  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHMS57160 100K Rads (Si) 0.013Ω 45A* JANSR2N7471T1  
IRHMS53160 300K Rads (Si) 0.013Ω 45A* JANSF2N7471T1  
IRHMS54160 500K Rads (Si) 0.013Ω 45A* JANSG2N7471T1  
IRHMS58160 1000K Rads (Si) 0.014Ω 45A* JANSH2N7471T1  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
ESD Rating: Class 3B per MIL-STD-750,  
Method 1020  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45*  
45*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
208  
W
W/°C  
V
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
493  
mJ  
A
AS  
I
45  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
6.7  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
11/26/14  
12345678

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与IRHMS53160PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IRHMS54160 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 100V, N-CHANNEL
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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Rad hard, 100V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254

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