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IRHMS57Z60

更新时间： 2024-11-05 03:03:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE

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IRHMS57Z60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：1250 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.0045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：208 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHMS57Z60 数据手册

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ꢁ
PD-96961A  
IRHMS57Z60  
JANSR2N7478T1  
30V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
REF: MIL5-PRF-19500/697  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHMS57Z60 100K Rads (Si) 0.0045Ω 45A* JANSR2N7478T1  
IRHMS53Z60 300K Rads (Si) 0.0045Ω 45A* JANSF2N7478T1  
IRHMS54Z60 500K Rads (Si) 0.0045Ω 45A* JANSG2N7478T1  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
IRHMS58Z60 1000K Rads (Si) 0.0045Ω 45A*  
JANSH2N7478T1  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45*  
45*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
208  
W
W/°C  
V
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
1250  
45  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
1.08  
-55 to 150  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/25/06  
12345678

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与IRHMS57Z60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHMS57Z60SCS INFINEON

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 		Rad hard, 30V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254A
IRHMS58160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 100V, N-CHANNEL
IRHMS58Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHMS593064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS593160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS593260 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS593260SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -200V, -32A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-2
IRHMS593Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS597064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS597064SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -60V, -45A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-25

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