5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHMS54160PBF
IRHMS54160PBF PDF预览

IRHMS54160PBF

更新时间： 2024-11-20 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 167K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHMS54160PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：493 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-CSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHMS54160PBF 数据手册

 浏览型号IRHMS54160PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHMS54160PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHMS54160PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHMS54160PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHMS54160PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHMS54160PBF的Datasheet PDF文件第7页 
                                                                             
ꢁ
PD-95889C  
IRHMS57160  
JANSR2N7471T1  
100V, Quad N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
REF: MIL5-PRF-19500/698  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHMS57160 100K Rads (Si) 0.013Ω 45A* JANSR2N7471T1  
IRHMS53160 300K Rads (Si) 0.013Ω 45A* JANSF2N7471T1  
IRHMS54160 500K Rads (Si) 0.013Ω 45A* JANSG2N7471T1  
IRHMS58160 1000K Rads (Si) 0.014Ω 45A* JANSH2N7471T1  
Low-Ohmic  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
45*  
45*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
208  
W
W/°C  
V
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
493  
mJ  
A
AS  
I
45  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
6.7  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/27/11  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHMS54160PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHMS54Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHMS57064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS57064PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHMS57160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 100V, N-CHANNEL
IRHMS57160PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHMS57160SCSA INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS57163SE INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHMS57163SEPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHMS57163SESCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 130V, 45A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS57260SE INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET

与IRHMS54160PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证