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IRGS6B60KDTRLPBF

更新时间： 2024-09-13 13:08:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
13页	246K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRGS6B60KDTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	13 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	258 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns
Base Number Matches：	1

IRGS6B60KDTRLPBF 数据手册

PD - 94575A

IRGB6B60K

IRGS6B60K

IRGSL6B60K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

V_CES= 600V

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

I_C= 7.0A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.8V

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

IRGS6B60K

TO-262

IRGSL6B60K

TO-220AB

IRGB6B60K

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

7.0

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

V_GE

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case - IGBT

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

1.4

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

Weight

0.50

–––

°C/W

–––

1.44

–––

www.irf.com

8/18/04

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGS6B60KDTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRGS6B60KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS6B60KTRL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
IRGS6B60KTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, D2PAK-3
IRGS6B60KTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, D2PAK-3
IRGS8B60K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS8B60KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS8B60KTRL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRGS8B60KTRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRGSB14C40L	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

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