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IRGSL15B60KDPBF

更新时间： 2024-09-13 03:39:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
15页 821K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGSL15B60KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：ULTRA FAST外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：31 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：36 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-262JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：25 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：231 ns
标称接通时间 (ton)：52 nsBase Number Matches：1

IRGSL15B60KDPBF 数据手册

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PD - 95194A  
IRGB15B60KDPbF  
IRGS15B60KDPbF  
IRGSL15B60KDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT  
Technology.  
VCES = 600V  
IC = 15A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 1.8V  
• Low Diode VF.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
G
E
n-channel  
• Lead-Free  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRGB15B60KDPbF  
IRGS15B60KDPbF IRGSL15B60KDPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
31  
15  
62  
ILM  
Clamped Inductive Load Current „  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
62  
A
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
31  
15  
64  
VGE  
± 20  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
208  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
83  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.6  
2.1  
Units  
°C/W  
g
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)‚  
Weight  
0.50  
–––  
–––  
62  
–––  
40  
1.44  
–––  
www.irf.com  
1
10/03/05  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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