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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 13 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 258 ns | 标称接通时间 (ton)： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGSL6B60KPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRGSL8B60K | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRGSL8B60KPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRGTA035F06 | INFINEON |
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Transistor |
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| IRGTA035U06 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ADD-A-PAK-7 |
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| IRGTA050F06 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ADD-A-PAK-7 |
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| IRGTA065F06 | INFINEON |
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Transistor |
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| IRGTA065U06 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ADD-A-PAK-7 |
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| IRGTA090F06 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ADD-A-PAK-7 |
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| IRGTDN100M12 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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