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IRGSL4B60KD1PBF

更新时间： 2024-09-17 12:35:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
16页 442K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGSL4B60KD1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.08
其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：11 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：89 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-262JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：63 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：23 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：199 ns
标称接通时间 (ton)：40 nsBase Number Matches：1

IRGSL4B60KD1PBF 数据手册

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PD - 95616A  
IRGB4B60KD1PbF  
IRGS4B60KD1PbF  
IRGSL4B60KD1PbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
IC = 7.6A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 2.1V  
• 10µs Short Circuit Capability.  
G
• Square RBSOA.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
E
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.  
• Lead-Free  
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
IRGS4B60KD1 IRGSL4B60KD1  
TO-262  
TO-220  
IRGB4B60KD1  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
11  
IC @ TC = 25°C  
7.6  
A
IC @ TC = 100°C  
22  
ICM  
22  
ILM  
11  
IF @ TC = 25°C  
6.7  
IF @ TC = 100°C  
22  
±20  
IFM  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
63  
W
PD @ TC = 25°C  
31  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
Storage Temperature Range, for 10 sec.  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
2.4  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case- IGBT  
RθJC  
Junction-to-Case- Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
6.1  
Rθ  
JC  
0.50  
–––  
–––  
62  
RθCS  
Rθ  
JA  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
Weight  
RθJA  
1.44  
–––  
g
Wt  
www.irf.com  
1
8/30/04  
1234567...16

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IRGSL4B60KD1PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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