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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | ULTRAFAST |
| 最大集电极电流 (IC)： | 260 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGTDN600K06 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| IRGTDN600K06PBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| IRGTI0025M12 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI0050M12 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI0050M12PBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI0075M12 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI0075M12PBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI0100M12 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI0100M12PBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7 |
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| IRGTI050U06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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