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IRGS6B60KTRLPBF

更新时间： 2024-09-13 21:11:19

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英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	288K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, D2PAK-3

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IRGS6B60KTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	13 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	258 ns
标称接通时间 (ton)：	45 ns

IRGS6B60KTRLPBF 数据手册

PD - 95644A

IRGB6B60KPbF

IRGS6B60KPbF

IRGSL6B60KPbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

V_CES= 600V

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

I_C= 7.0A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.8V

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free.

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRGB6B60K

IRGS6B60K

IRGSL6B60K

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

7.0

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

± 20

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case - IGBT

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

1.4

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

Weight

0.50

–––

°C/W

–––

1.44

–––

www.irf.com

11/18/04

12 3 4 5 6 7...14

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IRGS6B60KTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, D2PAK-3
IRGS8B60K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS8B60KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS8B60KTRL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRGS8B60KTRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
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IRGSL14C40L	INFINEON	获取价格	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
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