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IRGS6B60KDPBF

更新时间： 2024-09-17 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
13页 246K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRGS6B60KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：13 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：27 ns门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：90 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：26 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：258 ns
标称接通时间 (ton)：45 nsBase Number Matches：1

IRGS6B60KDPBF 数据手册

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PD - 94575A  
IRGB6B60K  
IRGS6B60K  
IRGSL6B60K  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
VCES = 600V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
IC = 7.0A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 1.8V  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
G
E
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
IRGS6B60K  
TO-262  
IRGSL6B60K  
TO-220AB  
IRGB6B60K  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
600  
V
A
IC @ TC = 25°C  
13  
IC @ TC = 100°C  
7.0  
ICM  
26  
ILM  
Clamped Inductive Load Current   
Gate-to-Emitter Voltage  
26  
± 20  
VGE  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
90  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
36  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount‚  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)ƒ  
Weight  
0.50  
–––  
–––  
62  
°C/W  
–––  
40  
1.44  
–––  
g
www.irf.com  
1
8/18/04  
1234567...13

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IRGS6B60KDPBF 替代型号

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