5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 440 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 42 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9024PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
|
| IRFU9024 | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9024N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
|
| IRFU9024N | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFU9024N | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFU9024NC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU9024NCPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFU9024NCPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRFU9024NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = |
|
| IRFU9024NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-ORSISTANCE |
|
| IRFU9024PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU9024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
