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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 440 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.33 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 42 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9022PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9024 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9024 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A) |
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| IRFU9024 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9024 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9024N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
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| IRFU9024N | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFU9024N | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFU9024NC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU9024NCPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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