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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR5410TRLPBF
IRFR5410TRLPBF PDF预览

IRFR5410TRLPBF

更新时间： 2024-11-27 12:59:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 214K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3

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IRFR5410TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.23
其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：194 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.205 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：66 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5410TRLPBF 数据手册

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PD - 9.1533A  
IRFR/U5410  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
l Surface Mount (IRFR5410)  
l Straight Lead (IRFU5410)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = -100V  
RDS(on) = 0.205W  
ID = -13A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
known for, provides the designer with an extremely efficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
D-Pak  
I-Pak  
TO-251AA  
TO-252AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-13  
-8.2  
-52  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
66  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
194  
-8.4  
6.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
-5.0  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
5/3/99  
1234567...10

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IRFR5410TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR5410PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
AUIRFR5410TRL INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR5410TRPBF INFINEON

类似代替

 Ultra Low On-Resistance

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IRFR5410TRPBF INFINEON

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IRFR5410TRR KERSEMI

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 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR5410TRRPBF INFINEON

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IRFR5505 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)
IRFR5505GPBF INFINEON

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505GTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		ultra low on-resistance
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