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IRFR5505TR PDF预览

IRFR5505TR

更新时间： 2024-01-24 03:35:53
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 109K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR5505TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：PLASTIC, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5505TR 数据手册

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PD - 9.1610B  
IRFR/U5505  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
l Surface Mount (IRFR5505)  
l Straight Lead (IRFU5505)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = -55V  
RDS(on) = 0.11Ω  
ID = -18A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
I-Pa k  
D -Pa k  
T O -2 52 A A  
TO -2 5 1 AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, orwavesolderingtechniques. Thestraight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-18  
-11  
A
-64  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
57  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.45  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
150  
mJ  
A
-9.6  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.7  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
2.2  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
8/25/97  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR5505TRL KERSEMI

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 		ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR5505TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TRPBF INFINEON

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 		Advanced process Technolgy
IRFR5505TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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