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IRFR6215

更新时间： 2024-11-17 22:40:59
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 142K
描述
Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A)

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IRFR6215 数据手册

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PD - 91749  
IRFR/U6215  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l P-Channel  
D
l 175°C Operating Temperature  
l Surface Mount (IRFR6215)  
l Straight Lead (IRFU6215)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
VDSS = -150V  
RDS(on) = 0.295Ω  
G
ID = -13A  
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
D-PAK  
T O -252AA  
I-PAK  
TO -251AA  
The D-PAK is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
-13  
-9.0  
-44  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
110  
0.71  
± 20  
310  
-6.6  
11  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
Avalanche Current†  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy†  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
°C/W  
1
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount) **  
Junction-to-Ambient  
50  
RθJA  
110  
www.irf.com  
5/11/98  
1234567...10

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IRFR6215 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR6215TRLPBF INFINEON

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IRFR6215TRL KERSEMI

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 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR6215TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR6215TRLPBF INFINEON

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 		175°C Operating Temperature
IRFR6215TRPBF INFINEON

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