5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRFR5505
IRFR5505 PDF预览

IRFR5505

更新时间： 2024-11-26 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 109K
描述
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR5505 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5505 数据手册

 浏览型号IRFR5505的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR5505的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR5505的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR5505的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR5505的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR5505的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 9.1610B  
IRFR/U5505  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
l Surface Mount (IRFR5505)  
l Straight Lead (IRFU5505)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = -55V  
RDS(on) = 0.11Ω  
ID = -18A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
I-Pa k  
D -Pa k  
T O -2 52 A A  
TO -2 5 1 AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, orwavesolderingtechniques. Thestraight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-18  
-11  
A
-64  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
57  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.45  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
150  
mJ  
A
-9.6  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.7  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
2.2  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
8/25/97  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRFR5505 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR5505TRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TRPBF INFINEON

类似代替

 Advanced process Technolgy
IRFR5505PBF INFINEON

类似代替

 Ultra Low On-Resistance

与IRFR5505相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR5505GPBF INFINEON

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505GTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505GTRPBF INFINEON

获取价格

 		ultra low on-resistance
IRFR5505GTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505PBF INFINEON

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505PBF KERSEMI

获取价格

 		ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR5505TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFR5505TRL KERSEMI

获取价格

 		ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR5505TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与IRFR5505相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证