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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR5505TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR5505TR | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFR5505TRL | KERSEMI |
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ULTRA LOW ON-RESISTANCE |
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| IRFR5505TRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR5505TRPBF | INFINEON |
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Advanced process Technolgy |
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| IRFR5505TRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR5505TRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR6215 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
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| IRFR6215PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFR6215PBF | KERSEMI |
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HEXFET® Power MOSFET |
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