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IRFR5505TR

更新时间： 2024-05-23 22:23:43
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
5页 2945K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-10A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:110mΩ@-10V

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IRFR5505TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：PLASTIC, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5505TR 数据手册

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R
UMW  
IRFR5505  
-60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
E
N03E  
N
Description  
The  
uses advanced trench technology  
IRFR5505TR  
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and  
operation with gate voltages as low as 4.5V. This  
device is suitable for use as a  
Battery protection or in other Switching application.  
General Features  
VDS = -60V ID =-10 A  
RDS(ON) < 110 mΩ @ VGS=10V  
Application  
Battery protection  
Load switch  
Uninterruptible power supply  
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Rating  
-60  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
VGS  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
-10  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1  
Pulsed Drain Current2  
A
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
-8  
A
-9  
A
-6.5  
A
-36  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy3  
25  
mJ  
A
IAS  
Avalanche Current  
-26.6  
3.0  
Total Power Dissipation4  
W
W
PD@TC=25℃  
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation4  
2
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
Thermal Resistance Junction-Ambient 1  
Thermal Resistance Junction-Case1  
-55 to 150  
-55 to 150  
42  
℃
℃
TJ  
RθJA  
℃/W  
℃/W  
RθJC  
3.6  
www.umw-ic.com  
1
UTD Semiconductor Co.,Limited  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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