IRFR5505GPBF

更新时间： 2024-01-01 03:09:57

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IRFR5505GPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	57 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 96182

IRFR5505GPbF

IRFU5505GPbF

• Lead-Free

• Halogen-Free

D-Pak

IRFR5505GPbF

I-Pak

IRFU5505GPbF

www.irf.com

09/29/08

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR5505GTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505GTRPBF	INFINEON	获取价格	ultra low on-resistance
IRFR5505GTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505PBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR5505PBF	KERSEMI	获取价格	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR5505TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFR5505TRL	KERSEMI	获取价格	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR5505TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced process Technolgy