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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR5410TRRPBF
IRFR5410TRRPBF PDF预览

IRFR5410TRRPBF

更新时间： 2024-09-27 12:56:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 273K
描述
Ultra Low On-Resistance

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IRFR5410TRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.92
其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：194 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.205 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：66 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5410TRRPBF 数据手册

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PD-95314A  
IRFR5410PbF  
IRFU5410PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
D
VDSS = -100V  
RDS(on) = 0.205Ω  
ID = -13A  
l Surface Mount (IRFR5410)  
l Straight Lead (IRFU5410)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
G
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
D-Pak  
I-Pak  
TO-251AA  
TO-252AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, orwavesolderingtechniques. Thestraight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-13  
-8.2  
-52  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
66  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
194  
-8.4  
6.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
-5.0  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
12/13/04  
1234567...11

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IRFR5410TRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR5410 INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR5410TRPBF INFINEON

完全替代

 Ultra Low On-Resistance
IRFR5410PBF INFINEON

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 HEXFET Power MOSFET

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IRFR5505 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505GTRPBF INFINEON

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 		ultra low on-resistance
IRFR5505GTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505PBF INFINEON

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505PBF KERSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFR5505TRL KERSEMI

获取价格

 		ULTRA LOW ON-RESISTANCE

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