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IRFR5410TRR

更新时间： 2024-01-09 04:36:25
品牌 Logo 应用领域
科盛美 - KERSEMI /
页数 文件大小 规格书
10页 3880K
描述
AUTOMOTIVE GRADE

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IRFR5410TRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.92
其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：194 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.205 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：66 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR5410TRR 数据手册

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PD - 96344  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFR5410  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
●
AdvancedPlanarTechnology  
●
●
●
●
●
●
●
P-ChannelMOSFET  
LowOn-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to  
Tjmax  
D
V(BR)DSS  
-100V  
0.205  
RDS(on) max.  
ID  
G
-13A  
S
●
●
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
Description  
D
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this Cellular Planar design of HEXFET® Power  
MOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniques  
toachievelowon-resistancepersiliconarea. This  
benefitcombinedwiththefastswitchingspeedand  
ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner  
with an extremely efficient and reliable device for  
use in Automotive and a wide variety of other  
applications.  
S
G
D-Pak  
AUIRFR5410  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in  
the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Max.  
-13  
Parameter  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
@ T = 25°C  
C
I
I
I
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
-8.2  
-52  
@ T = 100°C  
A
C
DM  
66  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
W/°C  
V
D
C
0.53  
± 20  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
EAS  
IAR  
194  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
mJ  
-8.4  
6.3  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
-5.0  
V/ns  
-55 to + 150  
T
T
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
300  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
1.9  
Units  
RJC  
RJA  
RJA  
Junction-to-Case  
–––  
–––  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.kersemi.com  
1
12/06/10  
1234567...10

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与IRFR5410TRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR5410TRRPBF INFINEON

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)
IRFR5505GPBF INFINEON

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505GTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505GTRPBF INFINEON

获取价格

 		ultra low on-resistance
IRFR5505GTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505PBF INFINEON

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFR5505PBF KERSEMI

获取价格

 		ULTRA LOW ON-RESISTANCE
IRFR5505TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFR5505TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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