IRFR3910TRPBF

更新时间： 2024-11-09 12:56:27

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IRFR3910TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.115 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	79 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 95079A

IRFR3910PbF

IRFU3910PbF

• Lead-Free

www.irf.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR3910TRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3910PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRFR3910	INFINEON	功能相似	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A)

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR3910TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3910TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3911	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR3911PBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR3911TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3911TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR410	INTERSIL	获取价格	1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR4104	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
IRFR4104	KERSEMI	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR4104PBF	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology