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IRFR4104PBF

更新时间： 2024-02-22 18:33:28

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科盛美 - KERSEMI		晶体晶体管开关脉冲局域网
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Advanced Process Technology

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IRFR4104PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	145 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR4104PBF 数据手册

PD - 95425A

IRFR4104PbF

AUTOMOTIVE MOSFET

IRFU4104PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Features

Advanced Process Technology

V_DSS= 40V

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

R_DS(on)= 5.5mΩ

I_D= 42A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET^®

Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to

achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional

features of this design are a 175°C junction operating tempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche

rating . These features combine to make this design an extremely

efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand

a wide variety of other applications.

D-Pak

IRFR4104

I-Pak

IRFU4104

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

119

Units

(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

(Package Limited)

@ T = 25°C

480

140

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

0.95

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

145

310

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.05

Units

R_θ

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)

°C/W

Junction-to-Ambient

110

www.kersemi.com

12/06/04

12 3 4 5 6 7...11

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与IRFR4104PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR4104TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4104TRL	KERSEMI	获取价格	AUTOMOTIVE GRADE
IRFR4104TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4104TRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFR4104TRR	KERSEMI	获取价格	AUTOMOTIVE GRADE
IRFR4104TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4105	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=2
IRFR4105	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR4105PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR4105PBF	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance

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