5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 125 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR3410TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFR3410PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR3410TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFR3411 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR3411PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR3411PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFR3411TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR3411TRHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR3411TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR3411TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR3411TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
|
| IRFR3411TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
