是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 0.66 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 185 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 32 A |
最大漏极电流 (ID): | 32 A | 最大漏源导通电阻: | 0.044 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 130 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR3411PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFR3411 | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR3411TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFR3412 | KERSEMI |
获取价格 |
Switch Mode Power Supply (SMPS) | |
IRFR3412 | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET | |
IRFR3412PBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET | |
IRFR3412TRR | KERSEMI |
获取价格 |
Switch Mode Power Supply (SMPS) | |
IRFR3418 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFR3418PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFR3418PBF | KERSEMI |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters | |
IRFR3418TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFR3418TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |