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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR3505PBF
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IRFR3505PBF

更新时间： 2024-11-24 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 275K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFR3505PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR3505PBF 数据手册

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PD - 95511A  
IRFR3505PbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU3505PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
VDSS = 55V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 0.013Ω  
G
ID = 30A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power  
MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely  
low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are  
a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and im-  
proved repetitive avalanche rating. These features combine to make this  
design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive  
applications and a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR3505  
I-Pak  
IRFU3505  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,  
or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is  
for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to  
1.5 watts are possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig.9)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package limited)  
Pulsed Drain Current   
71  
49  
A
30  
280  
140  
0.92  
± 20  
210  
410  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value‡  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy†  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
mJ  
dv/dt  
TJ  
4.0  
V/ns  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.09  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)ˆ  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
www.irf.com  
1
12/03/04  
1234567...12

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IRFR3505PBF 替代型号

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