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IRFR3607TRR

更新时间： 2024-11-24 15:35:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	366K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR3607TRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	310 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR3607TRR 数据手册

PD - 97312B

IRFR3607PbF

IRFU3607PbF

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in

HEXFET^®Power MOSFET

SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

75V

7.34m

Ω

9.0m

80A

Ω

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

56A

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt

Capability

D-Pak

IRFR3607PbF

I-Pak

IRFU3607PbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

I_D@ T_C= 100°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current

310

140

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.96

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

120

Avalanche Current

I_AR

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.045

Units

°C/W

R_θJC

Junction-to-Case

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Junction-to-Ambient

R_θ

110

www.irf.com

04/30/2010

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFR3704TRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
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