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IRFR3518

更新时间： 2024-09-15 22:40:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
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10页 548K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFR3518 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
雪崩能效等级（Eas）：160 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR3518 数据手册

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PD - 94523  
IRFR3518  
IRFU3518  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
80V  
29mW  
30A  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3518  
I-Pak  
IRFU3518  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
80  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
20  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
38  
27  
A
150  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
110  
W
Linear Derating Factor  
0.71  
W/°C  
V/ns  
dv/dt  
TJ  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.2  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
–––  
–––  
–––  
1.4  
Junction-to-Ambient (PCB mount)†  
Junction-to-Ambient  
40  
°C/W  
110  
Notes  through † are on page 10  
www.irf.com  
1
09/23/02  
1234567...10

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IRFR3518 替代型号

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