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IRFR3504ZPBF

更新时间： 2024-11-20 03:59:11
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 269K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRFR3504ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.65
Is Samacsys：NJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRFR3504ZPBF 数据手册

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PD - 95521A  
IRFR3504ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU3504ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
VDSS = 40V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 9.0mΩ  
G
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR3504Z  
I-Pak  
IRFU3504Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
77  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
54  
A
@ T = 25°C  
C
42  
310  
90  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.60  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
77  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
110  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.66  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
1/17/05  
1234567...11

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IRFR3504ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR3504ZTRL INFINEON

完全替代

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR4104TRPBF INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR3504ZTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR3504ZTRR KERSEMI

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 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR3504ZTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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