IRFR3410PBF

更新时间： 2024-11-27 04:23:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管
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10页	228K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFR3410PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.01
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IRFR3410PBF 数据手册

PD - 95514A

IRFR3410PbF

IRFU3410PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

l Lead-Free

V_DSS

100V

R_DS(on)max

I_D

31A

39mΩ

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

IRFR3410

I-Pak

IRFU3410

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

100

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

125

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_A= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

110

3.0

0.71

mW°C

V/ns

°C

dv/dt

T_J

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

–––

1.4

Junction-to-Ambient (PCB mount)*

Junction-to-Ambient

°C/W

110

Notes through are on page 10

www.irf.com

12/03/04

12 3 4 5 6 7...10

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IRFR3410PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR3410TRPBF	INFINEON	类似代替	High frequency DC-DC converters
IRFR540ZPBF	INFINEON	类似代替	Advanced Process Technology
IRFR3710ZPBF	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE MOSFET

与IRFR3410PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR3410TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3410TRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR3410TRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR3410TRPBF	INFINEON	获取价格	High frequency DC-DC converters
IRFR3411	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR3411PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR3411PBF	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
IRFR3411TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3411TRHR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3411TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me