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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 39 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0285 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 91 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR540ZTRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFR3410PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR3710ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR540ZTR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR540ZTRL | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR540ZTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFR540ZTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFR540ZTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFR5410 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
|
| IRFR5410 | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR5410 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFR5410HR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR5410PBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
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