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IRFR5410

更新时间： 2024-11-23 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 214K
描述
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

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IRFR5410 数据手册

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PD - 9.1533A  
IRFR/U5410  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
l Surface Mount (IRFR5410)  
l Straight Lead (IRFU5410)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = -100V  
RDS(on) = 0.205W  
ID = -13A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
known for, provides the designer with an extremely efficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
D-Pak  
I-Pak  
TO-251AA  
TO-252AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-13  
-8.2  
-52  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
66  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
194  
-8.4  
6.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
-5.0  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
5/3/99  
1234567...10

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IRFR5410 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR5410TRR INFINEON

类似代替

 Advanced Planar Technology
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IRFR5410PBF INFINEON

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR5410HR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR5410PBF KERSEMI

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 		HEXFET POWER MOSFET
IRFR5410PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFR5410TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR5410TRL KERSEMI

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 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR5410TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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IRFR5410TRRPBF INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)

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