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IRFN054SCV

更新时间： 2024-09-25 14:56:15
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英飞凌 - INFINEON /
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12页 1638K
描述
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV

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IRFN054SCV 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：480 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.031 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：256 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN054SCV 数据手册

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IRFN054  
Power MOSFET Surface Mount (SMD-1)  
Table of contents  
Table of contents  
Features ........................................................................................................................................ 1  
Potential Applications..................................................................................................................... 1  
Product Validation.......................................................................................................................... 1  
Description .................................................................................................................................... 1  
Ordering Information...................................................................................................................... 1  
Table of contents............................................................................................................................ 2  
1
Absolute Maximum Ratings ..................................................................................................... 3  
2
Device Characteristics ............................................................................................................ 4  
Electrical Characteristics (Pre-Irradiation).............................................................................................4  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics (Pre-Irradiation) .......................................................5  
Thermal Characteristics..........................................................................................................................5  
2.1  
2.2  
2.3  
3
4
5
Electrical Characteristics Curves (Pre-irradiation) ..................................................................... 6  
Test Circuits (Pre-irradiation).................................................................................................. 9  
Package Outline....................................................................................................................10  
Revision history.............................................................................................................................11  
2 of 12  
2021-12-07  
 
1234567...12

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