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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9210 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9210 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9211 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9211 | ROCHESTER |
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1.6A, 150V, 3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9212 | ROCHESTER |
获取价格 |
1.3A, 200V, 4.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9213 | ROCHESTER |
获取价格 |
1.3A, 150V, 4.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9220 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9220 | INTERSIL |
获取价格 |
-2.5A, -200V, 1.5 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFF9220 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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