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IRFB5615PBF

更新时间: 2024-02-15 01:24:10
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7页 273K
描述
DIGITAL AUDIO MOSFET

IRFB5615PBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:3.87Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):109 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.039 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):250极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):144 W最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFB5615PBF 数据手册

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IRFB5615PbF  
Driver Gate Drive  
P.W.  
P.W.  
Period  
D.U.T  
Period  
D =  
+
*
=10V  
V
GS  
ƒ
CircuitLayoutConsiderations  
LowStrayInductance  
Ground Plane  
LowLeakageInductance  
Current Transformer  
-
D.U.T. I Waveform  
SD  
+
‚
-
Reverse  
Recovery  
Current  
Body Diode Forward  
„
Current  
di/dt  
-
+
D.U.T. V Waveform  
DS  
Diode Recovery  
dv/dt  

V
DD  
VDD  
Re-Applied  
Voltage  
dv/dtcontrolledbyRG  
RG  
+
-
Body Diode  
Forward Drop  
Driver same type as D.U.T.  
ISD controlled by Duty Factor "D"  
D.U.T. - Device Under Test  
InductorCurrent  
I
SD  
Ripple 5%  
* VGS = 5V for Logic Level Devices  
Fig 16. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel  
HEXFET® Power MOSFETs  
V
(BR)DSS  
15V  
t
p
DRIVER  
+
L
V
DS  
D.U.T  
AS  
R
G
V
DD  
-
I
A
20V  
0.01  
t
p
I
AS  
Fig 17b. Unclamped Inductive Waveforms  
Fig 17a. Unclamped Inductive Test Circuit  
RD  
VDS  
V
DS  
90%  
VGS  
D.U.T.  
RG  
+
VDD  
-
VGS  
10%  
PulseWidth ≤ 1 µs  
Duty Factor≤ 0.1 %  
V
GS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
Fig 18a. Switching Time Test Circuit  
Fig 18b. Switching Time Waveforms  
Id  
Current Regulator  
Same Type as D.U.T.  
Vds  
Vgs  
50KΩ  
.2µF  
12V  
.3µF  
+
V
DS  
D.U.T.  
-
Vgs(th)  
V
GS  
3mA  
I
I
D
G
Qgs1  
Qgs2  
Qgd  
Qgodr  
Current Sampling Resistors  
Fig 19a. Gate Charge Test Circuit  
Fig 19b. Gate Charge Waveform  
6
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