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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 3.07 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 190 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFB4410ZPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| FDP100N10 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| IRFB4710 | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB52N15 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
|
| IRFB52N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
|
| IRFB52N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB5615 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFB5615PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
|
| IRFB5620 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFB5620PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
|
| IRFB59N10 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
|
| IRFB59N10D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
|
| IRFB59N10DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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