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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.07 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF841-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF841F | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
|
| IRF841FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF841R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| IRF842 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF842 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| IRF842 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS N-CHANNEL |
|
| IRF842-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF842-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF842FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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